AMS用多靶位强流溅射负离子源的研制
文献类型:期刊论文
作者 | 斯厚智 ; 张维忠 ; 朱锦华 ; 杜光天 ; 张苕荣 ; 高香 |
刊名 | 核技术
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出版日期 | 1992-06-29 |
期号 | 06 |
中文摘要 | 一台用于超灵敏质谱(AMS)的带有多靶机构的强流溅射负离子源已经研制完成。为了满足AMS的特殊要求;源的设计着重解决提高流强、降低记忆效应及改善发射度等方面的问题;并且十分注意确保其性能的可靠性与稳定性。样机在试验台架上进行了一年多的调试并进一步作了改进。迄今已引出了10μA BeO~-、5μA Al~-、4.5μA Fe~-、350μA C~-以及其他十余个离子品种。100μA以下测得的归一化发射度约为2-4π mm·mrad·MeV~(1/2)。对记忆效应与电离效率也进行了初步测定。 |
收录类别 | CNKI |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2013-01-23 |
源URL | [http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/10865] ![]() |
专题 | 上海应用物理研究所_中科院上海原子核所2003年前 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 斯厚智,张维忠,朱锦华,等. AMS用多靶位强流溅射负离子源的研制[J]. 核技术,1992(06). |
APA | 斯厚智,张维忠,朱锦华,杜光天,张苕荣,&高香.(1992).AMS用多靶位强流溅射负离子源的研制.核技术(06). |
MLA | 斯厚智,et al."AMS用多靶位强流溅射负离子源的研制".核技术 .06(1992). |
入库方式: OAI收割
来源:上海应用物理研究所
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