Cu在Pt(111)面上电结晶的成膜过程研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 印仁和 ; 曹为民 ; 施文广 ; 孙洁林 ; 毛秉伟 ; 孙世刚 |
| 刊名 | 金属学报
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| 出版日期 | 1998-08-18 |
| 期号 | 08 |
| 中文摘要 | 采用0．001mol／LCuSO4＋0．5mol／LH2SO4溶液体系;在Pt单晶球电极作循环伏安曲线;得到Cu存在欠电位沉积和本体沉积两个阶段;利用电化学扫描隧道显微镜观察到在欠电位下Cu在Pt（111）面上为单层平面生长;本体沉积为三维岛状生长;并随过电位升高;Cu的成核数目增加．用反射电子显微镜法也观察到高过电位时在Pt（111）面上的岛状铜．证实了Cu在Pt（111）面上的Stranski—Krastanov生长机理 |
| 收录类别 | CNKI |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2013-01-23 |
| 源URL | [http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/10892]  |
| 专题 | 上海应用物理研究所_中科院上海原子核所2003年前 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 印仁和,曹为民,施文广,等. Cu在Pt(111)面上电结晶的成膜过程研究[J]. 金属学报,1998(08). |
| APA | 印仁和,曹为民,施文广,孙洁林,毛秉伟,&孙世刚.(1998).Cu在Pt(111)面上电结晶的成膜过程研究.金属学报(08). |
| MLA | 印仁和,et al."Cu在Pt(111)面上电结晶的成膜过程研究".金属学报 .08(1998). |
入库方式： OAI收割
来源：上海应用物理研究所
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