GaAs、AlGaAs非对称耦合双量子阱界面混合效应光荧光谱研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 缪中林 ; 陆卫 ; 陈平平 ; 李志锋 ; 刘平 ; 袁先漳 ; 蔡炜颖 ; 徐文兰 ; 沈学础 ; 陈昌明 ; 朱德彰 ; 胡均 ; 李明乾 |
| 刊名 | 红外与毫米波学报
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| 出版日期 | 2001-02-25 |
| 期号 | 01 |
| 中文摘要 | 用分子束外延系统生长了 Ga As/ Al Ga As非对称耦合双量子阱 (ACDQW) ;用组合注入的方法 ;在同一块衬底上获得了不同注入离子和不同注入剂量的耦合量子阱单元 ;没有经过快速热退火过程 ;在常温下测量了不同单元的显微光荧光谱 ;发现子带间跃迁能量最大变化范围接近 10 0 me V;组合注入所导致的能量移动要大于单独注入导致的能量移动 |
| 收录类别 | CNKI |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2013-01-23 |
| 源URL | [http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/10930]  |
| 专题 | 上海应用物理研究所_中科院上海原子核所2003年前 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 缪中林,陆卫,陈平平,等. GaAs、AlGaAs非对称耦合双量子阱界面混合效应光荧光谱研究[J]. 红外与毫米波学报,2001(01). |
| APA | 缪中林.,陆卫.,陈平平.,李志锋.,刘平.,...&李明乾.(2001).GaAs、AlGaAs非对称耦合双量子阱界面混合效应光荧光谱研究.红外与毫米波学报(01). |
| MLA | 缪中林,et al."GaAs、AlGaAs非对称耦合双量子阱界面混合效应光荧光谱研究".红外与毫米波学报 .01(2001). |
入库方式： OAI收割
来源：上海应用物理研究所
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