背散射分析测定锗(锂漂移)表面的氟化钙薄膜厚度
文献类型：期刊论文
| 作者 | 吴俊恒 ; 张达明 ; 王玟珉 ; 周慕尧 ; 张荣发 |
| 刊名 | 核技术
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| 出版日期 | 1983-06-30 |
| 期号 | 06 |
| 中文摘要 | <正> 在制造同轴锗(锂漂移)探测器时;为了减少表面漏电流、降低噪声;需要在锗表面生长一层有一定厚度的氟化钙复盖膜。因此;在选择加工工艺条件时;要求测量此层的厚度。 背散射分析一般不适合于测量重基体表面上的轻材料薄膜.我们用测量基体背散射能谱的位移量的方法;测出了锗(锂漂移)表面上氟化钙薄膜的厚度。 |
| 收录类别 | CNKI |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2013-01-23 |
| 源URL | [http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/11098]  |
| 专题 | 上海应用物理研究所_中科院上海原子核所2003年前 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴俊恒,张达明,王玟珉,等. 背散射分析测定锗(锂漂移)表面的氟化钙薄膜厚度[J]. 核技术,1983(06). |
| APA | 吴俊恒,张达明,王玟珉,周慕尧,&张荣发.(1983).背散射分析测定锗(锂漂移)表面的氟化钙薄膜厚度.核技术(06). |
| MLA | 吴俊恒,et al."背散射分析测定锗(锂漂移)表面的氟化钙薄膜厚度".核技术 .06(1983). |
入库方式： OAI收割
来源：上海应用物理研究所
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