辐照LiF单晶中色心的正电子寿命谱研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 彭郁卿 ; 郑万辉 ; 张怡萍 ; 包于洪 ; 李胜华 |
| 刊名 | 核技术
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| 出版日期 | 1996-12-10 |
| 期号 | 12 |
| 中文摘要 | 用６０Ｃｏ源的γ射线辐照纯的ＬｉＦ单晶;剂量范围为０．９９×１０３－１．３×１０６Ｇｙ;用快－慢符合系统测量正电子寿命谱;给出了第二寿命成分τ２及其强度差△Ｉ２随照射剂量的变化。结果表明;在剂量Ｄ≤１×１０４Ｇｙ范围内;τ２基本不变;平均值为２９１ｐｓ;△Ｉ２∝Ｄ１／２;与Ｆ心浓度ＮＦ∝Ｄ１／２系相似;表明有△Ｉ２∝ＮＦ;当剂量增加;Ｆ聚集心出现后;τ２变大;Ｉ２增加变慢;直至出现饱和。 |
| 收录类别 | CNKI |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2013-01-23 |
| 源URL | [http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/11393]  |
| 专题 | 上海应用物理研究所_中科院上海原子核所2003年前 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 彭郁卿,郑万辉,张怡萍,等. 辐照LiF单晶中色心的正电子寿命谱研究[J]. 核技术,1996(12). |
| APA | 彭郁卿,郑万辉,张怡萍,包于洪,&李胜华.(1996).辐照LiF单晶中色心的正电子寿命谱研究.核技术(12). |
| MLA | 彭郁卿,et al."辐照LiF单晶中色心的正电子寿命谱研究".核技术 .12(1996). |
入库方式： OAI收割
来源：上海应用物理研究所
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