简易Si(Au)半导体电子谱仪
文献类型：期刊论文
| 作者 | 郑万辉 ; 张金洲 ; 朱家璧 ; 田家祺 ; 顾加辉 ; 周桂芬 |
| 刊名 | 核技术
 |
| 出版日期 | 1982-05-31 |
| 期号 | 05 |
| 中文摘要 | <正> 金硅面垒半导体探测器Si(Au)及漂移型半导体探测器Si(Li)用于测量电子谱已有十几年的历史。F.M.Bernthal等曾利用半导体谱仪成功地测量了短寿命核素~(176)Ta的83个跃迁的电子谱。近年来;采用半导体探测器与一个小型磁谱仪相结合;同时实行能量和动量的选择;成功地实现了在束内转换系数的测量;这是目前在束能谱确定核态特性的重要方法之一。与Si(Li)相比;Si(Au)面垒探测器用于电子谱的测量有很多优点;它制备时间短、比较便宜、较易制薄窗、不易受辐射损伤;可在室温下保存。它的主要缺点是:需要高纯Si材料才能获得较大的灵敏厚度。面垒型探测器直至七十年代中期才获得1.9～3.5kev的 |
| 收录类别 | CNKI |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2013-01-23 |
| 源URL | [http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/11643]  |
| 专题 | 上海应用物理研究所_中科院上海原子核所2003年前 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郑万辉,张金洲,朱家璧,等. 简易Si(Au)半导体电子谱仪[J]. 核技术,1982(05). |
| APA | 郑万辉,张金洲,朱家璧,田家祺,顾加辉,&周桂芬.(1982).简易Si(Au)半导体电子谱仪.核技术(05). |
| MLA | 郑万辉,et al."简易Si(Au)半导体电子谱仪".核技术 .05(1982). |
入库方式： OAI收割
来源：上海应用物理研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。