团簇沉积C-N薄膜的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陈景升 ; 俞国庆 ; 张志滨 ; 潘浩昌 ; 朱德彰 ; 徐洪杰 ; 郑志豪 ; 阎逢元 |
| 刊名 | 核技术
 |
| 出版日期 | 2001 |
| 期号 | 06 |
| 中文摘要 | 利用荷能团簇沉积装置在高阻硅 ( 111)衬底上沉积了碳氮薄膜。通过红外光谱、拉曼谱和X光电子能谱对薄膜的结构和化学组分进行了分析。结果表明 ;薄膜中存在N -sp3C( β -C3N4 的键合方式 ) ;但以N -sp2 C和C =C双键的结合方式为主。 |
| 收录类别 | CNKI |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2013-01-23 |
| 源URL | [http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/12082]  |
| 专题 | 上海应用物理研究所_中科院上海原子核所2003年前 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈景升,俞国庆,张志滨,等. 团簇沉积C-N薄膜的研究[J]. 核技术,2001(06). |
| APA | 陈景升.,俞国庆.,张志滨.,潘浩昌.,朱德彰.,...&阎逢元.(2001).团簇沉积C-N薄膜的研究.核技术(06). |
| MLA | 陈景升,et al."团簇沉积C-N薄膜的研究".核技术 .06(2001). |
入库方式： OAI收割
来源：上海应用物理研究所
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