液氮致冷金硅面垒半导体电子谱仪
文献类型：期刊论文
| 作者 | 郑万辉 ; 张金洲 ; 朱家璧 ; 田家祺 ; 顾加辉 ; 周桂芬 |
| 刊名 | 核电子学与探测技术
 |
| 出版日期 | 1983 |
| 期号 | 03 |
| 中文摘要 | <正> 用半导体探测器[包括面垒型Si(Au)及漂移型Si(Li)]测量电子谱的好处是:分辨率比闪烁计数器要好几十倍;与一般纵向磁谱仪相当;但效率比磁谱仪高得多;结构简单、价格便宜;尤其是它能够作多道式的同时性全谱测量;在低活性和短寿命核素的电子能谱测量中;具有很大的优越性。F.U.M.Bernthal等人以曾测量T_(1/2)=8.1小时 |
| 收录类别 | CNKI |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2013-01-23 |
| 源URL | [http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/12206]  |
| 专题 | 上海应用物理研究所_中科院上海原子核所2003年前 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郑万辉,张金洲,朱家璧,等. 液氮致冷金硅面垒半导体电子谱仪[J]. 核电子学与探测技术,1983(03). |
| APA | 郑万辉,张金洲,朱家璧,田家祺,顾加辉,&周桂芬.(1983).液氮致冷金硅面垒半导体电子谱仪.核电子学与探测技术(03). |
| MLA | 郑万辉,et al."液氮致冷金硅面垒半导体电子谱仪".核电子学与探测技术 .03(1983). |
入库方式： OAI收割
来源：上海应用物理研究所
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