Si3N4晶体的压电性能第一性原理研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 曾一明 ; 郑燕青 ; 忻隽 ; 孔海宽 ; 陈辉 ; 涂小牛 ; 施尔畏 |
| 刊名 | 无机材料学报
 |
| 出版日期 | 2011-02-09 |
| 卷号 | 26期号:2页码:180-184 |
| ISSN号 | 1000-324X |
| 通讯作者 | 郑燕青 |
| 学科主题 | 人工晶体 |
| 收录类别 | SCI收录 |
| 公开日期 | 2012-07-05 |
| 源URL | [http://ir.sic.ac.cn/handle/331005/1336]  |
| 专题 | 上海硅酸盐研究所_中试基地_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 曾一明,郑燕青,忻隽,等. Si3N4晶体的压电性能第一性原理研究[J]. 无机材料学报,2011,26(2):180-184. |
| APA | 曾一明.,郑燕青.,忻隽.,孔海宽.,陈辉.,...&施尔畏.(2011).Si3N4晶体的压电性能第一性原理研究.无机材料学报,26(2),180-184. |
| MLA | 曾一明,et al."Si3N4晶体的压电性能第一性原理研究".无机材料学报 26.2(2011):180-184. |
入库方式： OAI收割
来源：上海硅酸盐研究所
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