室温条件下制备全ZnO基透明电阻随机存储器
文献类型：期刊论文
| 作者 | 曹逊 ; 李效民 ; 高相东 ; 刘新军 ; 杨长 ; 杨蕊 ; 金平实 |
| 刊名 | Journal of Physics D: Applied Physics
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| 出版日期 | 2011-06-09 |
| 卷号 | 44页码:255104.1-255104.5 |
| 其他题名 | All-ZnO-based transparent resistance random access memeory device fully fabricated at room temperature |
| 通讯作者 | Xun Cao |
| 学科主题 | 材料物理与化学 |
| 收录类别 | SCI收录 |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2012-07-02 |
| 源URL | [http://ir.sic.ac.cn/handle/331005/522]  |
| 专题 | 上海硅酸盐研究所_古陶瓷与工业陶瓷工程研究中心_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 曹逊,李效民,高相东,等. 室温条件下制备全ZnO基透明电阻随机存储器[J]. Journal of Physics D: Applied Physics,2011,44:255104.1-255104.5. |
| APA | 曹逊.,李效民.,高相东.,刘新军.,杨长.,...&金平实.(2011).室温条件下制备全ZnO基透明电阻随机存储器.Journal of Physics D: Applied Physics,44,255104.1-255104.5. |
| MLA | 曹逊,et al."室温条件下制备全ZnO基透明电阻随机存储器".Journal of Physics D: Applied Physics 44(2011):255104.1-255104.5. |
入库方式： OAI收割
来源：上海硅酸盐研究所
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