室温制备全ZnO透明阻变型随机存储器件
文献类型：期刊论文
| 作者 | 曹逊 ; 李效民 ; 高相东 ; 刘新军 ; 杨长 ; 杨蕊 ; 999 |
| 刊名 | JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS
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| 出版日期 | 2011-07-29 |
| 卷号 | 44期号:25页码:255104-255104 |
| ISSN号 | 0022-3727 |
| 其他题名 | All-ZnO-based transparent resistance random access memory device fully fabricated at room temperature |
| 通讯作者 | 李效民 |
| 学科主题 | 材料科学 |
| 收录类别 | SCI收录 ; SSCI收录 ; EI收录 |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2012-06-29 |
| 源URL | [http://ir.sic.ac.cn/handle/331005/434]  |
| 专题 | 上海硅酸盐研究所_高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 曹逊,李效民,高相东,等. 室温制备全ZnO透明阻变型随机存储器件[J]. JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS,2011,44(25):255104-255104. |
| APA | 曹逊.,李效民.,高相东.,刘新军.,杨长.,...&999.(2011).室温制备全ZnO透明阻变型随机存储器件.JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS,44(25),255104-255104. |
| MLA | 曹逊,et al."室温制备全ZnO透明阻变型随机存储器件".JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS 44.25(2011):255104-255104. |
入库方式： OAI收割
来源：上海硅酸盐研究所
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