Investigation on a solution to improve the irradiation reliability of SOI NMOSFET
文献类型：期刊论文
| 作者 | Yu, WL ; Zhang, Z（重点实验室）X ; He, W ; Tian, H ; Chen, M ; Wang, R ; Bi, DW（重点实验室） ; Zhang, S ; Wang, X（重点实验室） |
| 刊名 | CHINESE PHYSICS C
 |
| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 32期号:12页码:989-991 |
| 关键词 | Physics Physics Nuclear Particles & Fields |
| ISSN号 | 1674-1137 |
| 学科主题 | Physics |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2013-05-10 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/115091]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_信息功能材料国家重点实验室2008-2012_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Yu, WL,Zhang, Z,He, W,et al. Investigation on a solution to improve the irradiation reliability of SOI NMOSFET[J]. CHINESE PHYSICS C,2008,32(12):989-991. |
| APA | Yu, WL.,Zhang, Z.,He, W.,Tian, H.,Chen, M.,...&Wang, X.(2008).Investigation on a solution to improve the irradiation reliability of SOI NMOSFET.CHINESE PHYSICS C,32(12),989-991. |
| MLA | Yu, WL,et al."Investigation on a solution to improve the irradiation reliability of SOI NMOSFET".CHINESE PHYSICS C 32.12(2008):989-991. |
入库方式： OAI收割
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