Radiation response of pseudo-MOS transistors fabricated in hardened fully-depleted SIMOX SOI wafers
文献类型：期刊论文
| 作者 | Bi, DW ; Zhang, ZX（重点实验室） ; Zhang, S ; Chen, M ; Yu, WJ ; Wang, R ; Tian, H ; Liu, ZL |
| 刊名 | CHINESE PHYSICS C
 |
| 出版日期 | 2009 |
| 卷号 | 33期号:10页码:866-869 |
| 关键词 | Physics Physics Nuclear Particles & Fields |
| ISSN号 | 1674-1137 |
| 学科主题 | Physics |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2013-05-10 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/115101]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_信息功能材料国家重点实验室2008-2012_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Bi, DW,Zhang, ZX,Zhang, S,et al. Radiation response of pseudo-MOS transistors fabricated in hardened fully-depleted SIMOX SOI wafers[J]. CHINESE PHYSICS C,2009,33(10):866-869. |
| APA | Bi, DW.,Zhang, ZX.,Zhang, S.,Chen, M.,Yu, WJ.,...&Liu, ZL.(2009).Radiation response of pseudo-MOS transistors fabricated in hardened fully-depleted SIMOX SOI wafers.CHINESE PHYSICS C,33(10),866-869. |
| MLA | Bi, DW,et al."Radiation response of pseudo-MOS transistors fabricated in hardened fully-depleted SIMOX SOI wafers".CHINESE PHYSICS C 33.10(2009):866-869. |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。