Forming-free colossal resistive switching effect in rare-earth-oxide Gd2O3 films for memristor applications
文献类型：期刊论文
| 作者 | Cao, X ; Li, XM ; Gao, XD ; Yu, WD ; Liu, XJ ; Zhang, YW ; Chen, LD ; Cheng, XH（重点实验室） |
| 刊名 | JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
 |
| 出版日期 | 2009 |
| 卷号 | 106期号:7页码:73723 |
| 关键词 | Physics Applied |
| ISSN号 | 0021-8979 |
| 学科主题 | Physics |
| 收录类别 | SCI |
| 原文出处 | 10.1063/1.3236573 |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2013-05-10 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/115102]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_信息功能材料国家重点实验室2008-2012_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Cao, X,Li, XM,Gao, XD,et al. Forming-free colossal resistive switching effect in rare-earth-oxide Gd2O3 films for memristor applications[J]. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,2009,106(7):73723. |
| APA | Cao, X.,Li, XM.,Gao, XD.,Yu, WD.,Liu, XJ.,...&Cheng, XH.(2009).Forming-free colossal resistive switching effect in rare-earth-oxide Gd2O3 films for memristor applications.JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,106(7),73723. |
| MLA | Cao, X,et al."Forming-free colossal resistive switching effect in rare-earth-oxide Gd2O3 films for memristor applications".JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 106.7(2009):73723. |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。