Temperature dependence of current-voltage characteristics of terahertz quantum-well photodetectors
文献类型：期刊论文
| 作者 | Tan, ZY ; Guo, XG ; Cao, JC（重点实验室） ; Li, H ; Wang, X（重点实验室） ; Feng, SL(重点实验室） ; Wasilewski, ZR ; Liu, HC |
| 刊名 | SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
 |
| 出版日期 | 2009 |
| 卷号 | 24期号:11页码:115014 |
| 关键词 | Engineering Materials Science Physics Electrical & Electronic Multidisciplinary Condensed Matter |
| ISSN号 | 0268-1242 |
| 学科主题 | Engineering; Materials Science; Physics |
| 收录类别 | SCI |
| 原文出处 | 10.1088/0268-1242/24/11/115014 |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2013-05-10 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/115103]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_信息功能材料国家重点实验室2008-2012_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Tan, ZY,Guo, XG,Cao, JC,et al. Temperature dependence of current-voltage characteristics of terahertz quantum-well photodetectors[J]. SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY,2009,24(11):115014. |
| APA | Tan, ZY.,Guo, XG.,Cao, JC.,Li, H.,Wang, X.,...&Liu, HC.(2009).Temperature dependence of current-voltage characteristics of terahertz quantum-well photodetectors.SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY,24(11),115014. |
| MLA | Tan, ZY,et al."Temperature dependence of current-voltage characteristics of terahertz quantum-well photodetectors".SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY 24.11(2009):115014. |
入库方式： OAI收割
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