Investigation on Silicon on Insulator Fabricated by Separation by Implanted Oxygen Layer Transfer
文献类型:期刊论文
作者 | Wei, X ; Wu, AM(重点实验室) ; Wang, X(重点实验室) ; Li, XY ; Ye, F ; Chen, J ; Chen, M ; Zhang, B(重点实验室) ; Lin, CL(重点实验室) ; Zhang, M ; Wang, X(重点实验室) |
刊名 | JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY
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出版日期 | 2010 |
卷号 | 157期号:1页码:H81-H85 |
关键词 | Electrochemistry Materials Science Coatings & Films |
ISSN号 | 0013-4651 |
学科主题 | Electrochemistry; Materials Science |
收录类别 | SCI |
原文出处 | 10.1149/1.3253571 |
语种 | 英语 |
公开日期 | 2013-05-10 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/115107] ![]() |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_信息功能材料国家重点实验室2008-2012_期刊论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Wei, X,Wu, AM,Wang, X,et al. Investigation on Silicon on Insulator Fabricated by Separation by Implanted Oxygen Layer Transfer[J]. JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY,2010,157(1):H81-H85. |
APA | Wei, X.,Wu, AM.,Wang, X.,Li, XY.,Ye, F.,...&Wang, X.(2010).Investigation on Silicon on Insulator Fabricated by Separation by Implanted Oxygen Layer Transfer.JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY,157(1),H81-H85. |
MLA | Wei, X,et al."Investigation on Silicon on Insulator Fabricated by Separation by Implanted Oxygen Layer Transfer".JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY 157.1(2010):H81-H85. |
入库方式: OAI收割
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