Dynamic annealing versus thermal annealing effects on the formation of hydrogen-induced defects in silicon
文献类型：期刊论文
| 作者 | di, zf(重点实验室） ; Huang, MQ ; Wang, YQ ; Nastasi, M |
| 刊名 | APPLIED PHYSICS LETTERS
 |
| 出版日期 | 2010 |
| 卷号 | 97期号:19页码:194101 |
| ISSN号 | 0003-6951 |
| 关键词 | Physics Applied |
| 学科主题 | Physics |
| 收录类别 | SCI |
| 原文出处 | 10.1063/1.3513352 |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2013-05-10 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/115117]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_信息功能材料国家重点实验室2008-2012_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | di, zf,Huang, MQ,Wang, YQ,et al. Dynamic annealing versus thermal annealing effects on the formation of hydrogen-induced defects in silicon[J]. APPLIED PHYSICS LETTERS,2010,97(19):194101. |
| APA | di, zf,Huang, MQ,Wang, YQ,&Nastasi, M.(2010).Dynamic annealing versus thermal annealing effects on the formation of hydrogen-induced defects in silicon.APPLIED PHYSICS LETTERS,97(19),194101. |
| MLA | di, zf,et al."Dynamic annealing versus thermal annealing effects on the formation of hydrogen-induced defects in silicon".APPLIED PHYSICS LETTERS 97.19(2010):194101. |
入库方式： OAI收割
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