Investigation of silicon on insulator fabricated by two-step O+ implantation
文献类型：期刊论文
| 作者 | Wei, X ; Xue, ZY ; Wu, AM（重点实验室） ; Wang, X（重点实验室） ; Li, XY ; Ye, F ; Chen, J ; Chen, M ; Zhang, B（重点实验室） ; Lin, CL（重点实验室） ; Zhang, MA ; Wang, X（重点实验室） |
| 刊名 | CHINESE SCIENCE BULLETIN
 |
| 出版日期 | 2011 |
| 卷号 | 56页码:444-448 |
| 关键词 | Multidisciplinary Sciences |
| ISSN号 | 1001-6538 |
| 学科主题 | Science & Technology - Other Topics |
| 收录类别 | SCI |
| 原文出处 | 10.1007/s11434-011-4382-6 |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2013-05-10 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/115122]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_信息功能材料国家重点实验室2008-2012_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Wei, X,Xue, ZY,Wu, AM,et al. Investigation of silicon on insulator fabricated by two-step O+ implantation[J]. CHINESE SCIENCE BULLETIN,2011,56:444-448. |
| APA | Wei, X.,Xue, ZY.,Wu, AM.,Wang, X.,Li, XY.,...&Wang, X.(2011).Investigation of silicon on insulator fabricated by two-step O+ implantation.CHINESE SCIENCE BULLETIN,56,444-448. |
| MLA | Wei, X,et al."Investigation of silicon on insulator fabricated by two-step O+ implantation".CHINESE SCIENCE BULLETIN 56(2011):444-448. |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。