Fabrication of Direct Silicon Bonded Hybrid Orientation Substrate by Separation by Implanted Oxygen Layer Transfer and Oxide Dissolution Annealing
文献类型：期刊论文
| 作者 | Wei, X ; Xue, ZY ; Wu, AM（重点实验室） ; Cao, GB ; Zhang, B ; Lin, CL（重点实验室） ; Zhang, MA ; Wang, X（重点实验室） |
| 刊名 | APPLIED PHYSICS EXPRESS
 |
| 出版日期 | 2011 |
| 卷号 | 4期号:3页码:31301 |
| 关键词 | Physics Applied |
| ISSN号 | 1882-0778 |
| 学科主题 | Physics |
| 收录类别 | SCI |
| 原文出处 | 10.1143/APEX.4.031301 |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2013-05-10 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/115123]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_信息功能材料国家重点实验室2008-2012_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Wei, X,Xue, ZY,Wu, AM,et al. Fabrication of Direct Silicon Bonded Hybrid Orientation Substrate by Separation by Implanted Oxygen Layer Transfer and Oxide Dissolution Annealing[J]. APPLIED PHYSICS EXPRESS,2011,4(3):31301. |
| APA | Wei, X.,Xue, ZY.,Wu, AM.,Cao, GB.,Zhang, B.,...&Wang, X.(2011).Fabrication of Direct Silicon Bonded Hybrid Orientation Substrate by Separation by Implanted Oxygen Layer Transfer and Oxide Dissolution Annealing.APPLIED PHYSICS EXPRESS,4(3),31301. |
| MLA | Wei, X,et al."Fabrication of Direct Silicon Bonded Hybrid Orientation Substrate by Separation by Implanted Oxygen Layer Transfer and Oxide Dissolution Annealing".APPLIED PHYSICS EXPRESS 4.3(2011):31301. |
入库方式： OAI收割
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