Epitaxial growth of fully relaxed Si0.75Ge0.25 on SOI substrate
文献类型：期刊论文
| 作者 | Xue, ZY ; Wei, X ; Zhang, B ; Wu, AM（重点实验室） ; Zhang, MA ; Wang, X（重点实验室） |
| 刊名 | APPLIED SURFACE SCIENCE
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| 出版日期 | 2011 |
| 卷号 | 257期号:11页码:5021-5024 |
| 关键词 | Chemistry Materials Science Physics Physics Physical Coatings & Films Applied Condensed Matter |
| ISSN号 | 0169-4332 |
| 学科主题 | Chemistry; Materials Science; Physics |
| 收录类别 | SCI |
| 原文出处 | 10.1016/j.apsusc.2011.01.014 |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2013-05-10 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/115124]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_信息功能材料国家重点实验室2008-2012_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Xue, ZY,Wei, X,Zhang, B,et al. Epitaxial growth of fully relaxed Si0.75Ge0.25 on SOI substrate[J]. APPLIED SURFACE SCIENCE,2011,257(11):5021-5024. |
| APA | Xue, ZY,Wei, X,Zhang, B,Wu, AM,Zhang, MA,&Wang, X.(2011).Epitaxial growth of fully relaxed Si0.75Ge0.25 on SOI substrate.APPLIED SURFACE SCIENCE,257(11),5021-5024. |
| MLA | Xue, ZY,et al."Epitaxial growth of fully relaxed Si0.75Ge0.25 on SOI substrate".APPLIED SURFACE SCIENCE 257.11(2011):5021-5024. |
入库方式： OAI收割
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