Epitaxial growth of Ni(Al)Si0.7Ge0.3 on Si0.7Ge0.3/Si(100) by Al interlayer mediated epitaxy
文献类型：期刊论文
| 作者 | Zhang, B ; Yu, W ; Zhao, QT ; Mussler, G ; Jin, L ; Buca, D ; Hollander, B ; Hartmann, JM ; Zhang, M（重点实验室） ; Wang, X（重点实验室） ; Mantl, S |
| 刊名 | APPLIED PHYSICS LETTERS
 |
| 出版日期 | 2011 |
| 卷号 | 98期号:25页码:252101 |
| 关键词 | Physics Applied |
| ISSN号 | 0003-6951 |
| 学科主题 | Physics |
| 收录类别 | SCI |
| 原文出处 | 10.1063/1.3601464 |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2013-05-10 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/115128]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_信息功能材料国家重点实验室2008-2012_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhang, B,Yu, W,Zhao, QT,et al. Epitaxial growth of Ni(Al)Si0.7Ge0.3 on Si0.7Ge0.3/Si(100) by Al interlayer mediated epitaxy[J]. APPLIED PHYSICS LETTERS,2011,98(25):252101. |
| APA | Zhang, B.,Yu, W.,Zhao, QT.,Mussler, G.,Jin, L.,...&Mantl, S.(2011).Epitaxial growth of Ni(Al)Si0.7Ge0.3 on Si0.7Ge0.3/Si(100) by Al interlayer mediated epitaxy.APPLIED PHYSICS LETTERS,98(25),252101. |
| MLA | Zhang, B,et al."Epitaxial growth of Ni(Al)Si0.7Ge0.3 on Si0.7Ge0.3/Si(100) by Al interlayer mediated epitaxy".APPLIED PHYSICS LETTERS 98.25(2011):252101. |
入库方式： OAI收割
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