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Bias dependence of a deep submicron NMOSFET response to total dose irradiation

文献类型:期刊论文

作者Liu, ZL ; Hu, ZY ; Zhang, ZX ; Shao, H ; Chen, M ; Bi, DW(重点实验室) ; Ning, BX ; Zou, SC(重点实验室)
刊名CHINESE PHYSICS B
出版日期2011
卷号20期号:7页码:70701
关键词Physics Multidisciplinary
ISSN号1674-1056
学科主题Physics
收录类别SCI
原文出处10.1088/1674-1056/20/7/070701
语种英语
公开日期2013-05-10
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/115129]  
专题上海微系统与信息技术研究所_信息功能材料国家重点实验室2008-2012_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
Liu, ZL,Hu, ZY,Zhang, ZX,et al. Bias dependence of a deep submicron NMOSFET response to total dose irradiation[J]. CHINESE PHYSICS B,2011,20(7):70701.
APA Liu, ZL.,Hu, ZY.,Zhang, ZX.,Shao, H.,Chen, M.,...&Zou, SC.(2011).Bias dependence of a deep submicron NMOSFET response to total dose irradiation.CHINESE PHYSICS B,20(7),70701.
MLA Liu, ZL,et al."Bias dependence of a deep submicron NMOSFET response to total dose irradiation".CHINESE PHYSICS B 20.7(2011):70701.

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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