Enhanced Total Ionizing Dose Susceptibility in Narrow Channel Devices
文献类型：期刊论文
| 作者 | Liu, ZL ; Hu, ZY ; Zhang, ZX（重点实验室） ; Shao, H ; Ning, BX ; Bi, DW（重点实验室） ; Chen, M ; Zou, SC（重点实验室） |
| 刊名 | CHINESE PHYSICS LETTERS
 |
| 出版日期 | 2011 |
| 卷号 | 28期号:7页码:70701 |
| 关键词 | Physics Multidisciplinary |
| ISSN号 | 0256-307X |
| 学科主题 | Physics |
| 收录类别 | SCI |
| 原文出处 | 10.1088/0256-307X/28/7/070701 |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2013-05-10 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/115130]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_信息功能材料国家重点实验室2008-2012_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Liu, ZL,Hu, ZY,Zhang, ZX,et al. Enhanced Total Ionizing Dose Susceptibility in Narrow Channel Devices[J]. CHINESE PHYSICS LETTERS,2011,28(7):70701. |
| APA | Liu, ZL.,Hu, ZY.,Zhang, ZX.,Shao, H.,Ning, BX.,...&Zou, SC.(2011).Enhanced Total Ionizing Dose Susceptibility in Narrow Channel Devices.CHINESE PHYSICS LETTERS,28(7),70701. |
| MLA | Liu, ZL,et al."Enhanced Total Ionizing Dose Susceptibility in Narrow Channel Devices".CHINESE PHYSICS LETTERS 28.7(2011):70701. |
入库方式： OAI收割
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