High mobility compressive strained Si0.5Ge0.5 quantum well p-MOSFETs with higher-k/metal-gate
文献类型：期刊论文
| 作者 | Yu, W ; Zhang, B ; Zhao, QT ; Hartmann, JM ; Buca, D ; Nichau, A ; Luptak, R ; Lopes, JMJ ; Lenk, S ; Luysberg, M ; Bourdelle, KK ; Wang, X ; Mantl, S |
| 刊名 | SOLID-STATE ELECTRONICS
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| 出版日期 | 2011 |
| 卷号 | 62期号:1页码:185-188 |
| 关键词 | Engineering Physics Physics Electrical & Electronic Applied Condensed Matter |
| ISSN号 | 0038-1101 |
| 学科主题 | Engineering; Physics |
| 收录类别 | SCI |
| 原文出处 | 10.1016/j.sse.2011.03.002 |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2013-05-10 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/115132]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_信息功能材料国家重点实验室2008-2012_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Yu, W,Zhang, B,Zhao, QT,et al. High mobility compressive strained Si0.5Ge0.5 quantum well p-MOSFETs with higher-k/metal-gate[J]. SOLID-STATE ELECTRONICS,2011,62(1):185-188. |
| APA | Yu, W.,Zhang, B.,Zhao, QT.,Hartmann, JM.,Buca, D.,...&Mantl, S.(2011).High mobility compressive strained Si0.5Ge0.5 quantum well p-MOSFETs with higher-k/metal-gate.SOLID-STATE ELECTRONICS,62(1),185-188. |
| MLA | Yu, W,et al."High mobility compressive strained Si0.5Ge0.5 quantum well p-MOSFETs with higher-k/metal-gate".SOLID-STATE ELECTRONICS 62.1(2011):185-188. |
入库方式： OAI收割
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