Total ionizing dose effect in an input/output device for flash memory
文献类型：期刊论文
| 作者 | Liu, ZL ; Hu, ZY ; Zhang, ZX（重点实验室） ; Shao, H ; Chen, M ; Bi, DW ; Ning, BX ; Zou, SC（重点实验室） |
| 刊名 | CHINESE PHYSICS B
 |
| 出版日期 | 2011 |
| 卷号 | 20期号:12页码:120703 |
| 关键词 | Physics Multidisciplinary |
| ISSN号 | 1674-1056 |
| 学科主题 | Physics |
| 收录类别 | SCI |
| 原文出处 | 10.1088/1674-1056/20/12/120703 |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2013-05-10 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/115138]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_信息功能材料国家重点实验室2008-2012_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Liu, ZL,Hu, ZY,Zhang, ZX,et al. Total ionizing dose effect in an input/output device for flash memory[J]. CHINESE PHYSICS B,2011,20(12):120703. |
| APA | Liu, ZL.,Hu, ZY.,Zhang, ZX.,Shao, H.,Chen, M.,...&Zou, SC.(2011).Total ionizing dose effect in an input/output device for flash memory.CHINESE PHYSICS B,20(12),120703. |
| MLA | Liu, ZL,et al."Total ionizing dose effect in an input/output device for flash memory".CHINESE PHYSICS B 20.12(2011):120703. |
入库方式： OAI收割
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