Fabrication of high quality strained SiGe on Si substrate by RPCVD
文献类型：期刊论文
| 作者 | Xue, ZY ; Chen, D ; Liu, LJ ; Jiang, HT ; Bian, JT ; Wei, X ; di, zf(重点实验室） ; Zhang, M（重点实验室） ; Wang, X（重点实验室） |
| 刊名 | CHINESE SCIENCE BULLETIN
 |
| 出版日期 | 2012 |
| 卷号 | 57期号:15页码:1862-1867 |
| 关键词 | Multidisciplinary Sciences |
| ISSN号 | 1001-6538 |
| 学科主题 | Science & Technology - Other Topics |
| 收录类别 | SCI |
| 原文出处 | 10.1007/s11434-012-5020-7 |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2013-05-10 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/115151]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_信息功能材料国家重点实验室2008-2012_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Xue, ZY,Chen, D,Liu, LJ,et al. Fabrication of high quality strained SiGe on Si substrate by RPCVD[J]. CHINESE SCIENCE BULLETIN,2012,57(15):1862-1867. |
| APA | Xue, ZY.,Chen, D.,Liu, LJ.,Jiang, HT.,Bian, JT.,...&Wang, X.(2012).Fabrication of high quality strained SiGe on Si substrate by RPCVD.CHINESE SCIENCE BULLETIN,57(15),1862-1867. |
| MLA | Xue, ZY,et al."Fabrication of high quality strained SiGe on Si substrate by RPCVD".CHINESE SCIENCE BULLETIN 57.15(2012):1862-1867. |
入库方式： OAI收割
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