TDBC SOI technology to suppress floating body effect in PD SOI p-MOSFETs
文献类型：期刊论文
| 作者 | Luo, JX ; Chen, J ; Wu, QQ ; Chai, Z ; Yu, T ; Wang, X（重点实验室） |
| 刊名 | ELECTRONICS LETTERS
 |
| 出版日期 | 2012 |
| 卷号 | 48期号:11页码:652-653 |
| 关键词 | Engineering Electrical & Electronic |
| ISSN号 | 0013-5194 |
| 学科主题 | Engineering |
| 收录类别 | SCI |
| 原文出处 | 10.1049/el.2012.0980 |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2013-05-10 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/115154]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_信息功能材料国家重点实验室2008-2012_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Luo, JX,Chen, J,Wu, QQ,et al. TDBC SOI technology to suppress floating body effect in PD SOI p-MOSFETs[J]. ELECTRONICS LETTERS,2012,48(11):652-653. |
| APA | Luo, JX,Chen, J,Wu, QQ,Chai, Z,Yu, T,&Wang, X.(2012).TDBC SOI technology to suppress floating body effect in PD SOI p-MOSFETs.ELECTRONICS LETTERS,48(11),652-653. |
| MLA | Luo, JX,et al."TDBC SOI technology to suppress floating body effect in PD SOI p-MOSFETs".ELECTRONICS LETTERS 48.11(2012):652-653. |
入库方式： OAI收割
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