Studies on H2O-based Atomic Layer Deposition of Al2O3 Dielectric on Pristine Graphene
文献类型：期刊论文
| 作者 | Zhang, YW ; Wan, L ; Cheng, XH（重点实验室） ; Wang, ZJ ; Xia, C ; Cao, D ; Jia, TT ; Yu, YH（重点实验室） |
| 刊名 | JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS
 |
| 出版日期 | 2012 |
| 卷号 | 27期号:9页码:956-960 |
| 关键词 | Materials Science Ceramics |
| ISSN号 | 1000-324X |
| 学科主题 | Materials Science |
| 收录类别 | SCI |
| 原文出处 | 10.3724/SP.J.1077.2012.11663 |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2013-05-10 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/115156]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_信息功能材料国家重点实验室2008-2012_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhang, YW,Wan, L,Cheng, XH,et al. Studies on H2O-based Atomic Layer Deposition of Al2O3 Dielectric on Pristine Graphene[J]. JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS,2012,27(9):956-960. |
| APA | Zhang, YW.,Wan, L.,Cheng, XH.,Wang, ZJ.,Xia, C.,...&Yu, YH.(2012).Studies on H2O-based Atomic Layer Deposition of Al2O3 Dielectric on Pristine Graphene.JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS,27(9),956-960. |
| MLA | Zhang, YW,et al."Studies on H2O-based Atomic Layer Deposition of Al2O3 Dielectric on Pristine Graphene".JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS 27.9(2012):956-960. |
入库方式： OAI收割
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