Distinction investigation of InGaAs photodetectors cutoff at 2.9 mu m
文献类型：期刊论文
| 作者 | Li, C ; Zhang, YG（重点实验室） ; Wang, K ; Gu, Y ; Li, HSBY ; Li, YY |
| 刊名 | INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY
 |
| 出版日期 | 2010 |
| 卷号 | 53期号:3页码:173-176 |
| 关键词 | Instruments & Instrumentation Physics Optics Applied |
| ISSN号 | 1350-4495 |
| 学科主题 | Instruments & Instrumentation; Optics; Physics |
| 收录类别 | SCI |
| 原文出处 | 10.1016/j.infrared.2009.11.002 |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2013-05-10 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/115262]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_信息功能材料国家重点实验室2008-2012_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Li, C,Zhang, YG,Wang, K,et al. Distinction investigation of InGaAs photodetectors cutoff at 2.9 mu m[J]. INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY,2010,53(3):173-176. |
| APA | Li, C,Zhang, YG,Wang, K,Gu, Y,Li, HSBY,&Li, YY.(2010).Distinction investigation of InGaAs photodetectors cutoff at 2.9 mu m.INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY,53(3),173-176. |
| MLA | Li, C,et al."Distinction investigation of InGaAs photodetectors cutoff at 2.9 mu m".INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY 53.3(2010):173-176. |
入库方式： OAI收割
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