Quantum dot lasers grown by gas source molecular-beam epitaxy
文献类型：期刊论文
| 作者 | Gong, Q ; Chen, P ; Li, SG ; Lao, YF ; Cao, CF ; Xu, CF ; Zhang, YG（重点实验室） ; Feng, SL(重点实验室） ; Ma, CH ; Wang, HL |
| 刊名 | JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
 |
| 出版日期 | 2011 |
| 卷号 | 323期号:1页码:450-453 |
| 关键词 | Crystallography Materials Science Physics Multidisciplinary Applied |
| ISSN号 | 0022-0248 |
| 学科主题 | Crystallography; Materials Science; Physics |
| 收录类别 | SCI |
| 原文出处 | 10.1016/j.jcrysgro.2010.12.014 |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2013-05-10 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/115270]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_信息功能材料国家重点实验室2008-2012_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Gong, Q,Chen, P,Li, SG,et al. Quantum dot lasers grown by gas source molecular-beam epitaxy[J]. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,2011,323(1):450-453. |
| APA | Gong, Q.,Chen, P.,Li, SG.,Lao, YF.,Cao, CF.,...&Wang, HL.(2011).Quantum dot lasers grown by gas source molecular-beam epitaxy.JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,323(1),450-453. |
| MLA | Gong, Q,et al."Quantum dot lasers grown by gas source molecular-beam epitaxy".JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 323.1(2011):450-453. |
入库方式： OAI收割
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