InP-based InAs/InGaAs quantum wells with type-I emission beyond 3 mu m
文献类型：期刊论文
| 作者 | Gu, Y ; Zhang, YG（重点实验室） ; Wang, K ; Fang, X ; Li, C ; Cao, YY ; Li, AZ ; Li, YY |
| 刊名 | APPLIED PHYSICS LETTERS
 |
| 出版日期 | 2011 |
| 卷号 | 99期号:8页码:81914 |
| 关键词 | Physics Applied |
| ISSN号 | 0003-6951 |
| 学科主题 | Physics |
| 收录类别 | SCI |
| 原文出处 | 10.1063/1.3629999 |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2013-05-10 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/115278]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_信息功能材料国家重点实验室2008-2012_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Gu, Y,Zhang, YG,Wang, K,et al. InP-based InAs/InGaAs quantum wells with type-I emission beyond 3 mu m[J]. APPLIED PHYSICS LETTERS,2011,99(8):81914. |
| APA | Gu, Y.,Zhang, YG.,Wang, K.,Fang, X.,Li, C.,...&Li, YY.(2011).InP-based InAs/InGaAs quantum wells with type-I emission beyond 3 mu m.APPLIED PHYSICS LETTERS,99(8),81914. |
| MLA | Gu, Y,et al."InP-based InAs/InGaAs quantum wells with type-I emission beyond 3 mu m".APPLIED PHYSICS LETTERS 99.8(2011):81914. |
入库方式： OAI收割
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