Temperature dependent lasing characteristics of InAs/InP(100) quantum dot laser
文献类型：期刊论文
| 作者 | Li, SG ; Gong, Q ; Cao, CF ; Wang, XZ ; Chen, P ; Yue, L ; Liu, QB ; Wang, HL ; Ma, CH |
| 刊名 | MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING
 |
| 出版日期 | 2012 |
| 卷号 | 15期号:1页码:86-90 |
| 关键词 | Engineering Materials Science Physics Physics Electrical & Electronic Multidisciplinary Applied Condensed Matter |
| ISSN号 | 1369-8001 |
| 学科主题 | Engineering; Materials Science; Physics |
| 收录类别 | SCI |
| 原文出处 | 10.1016/j.mssp.2011.10.001 |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2013-05-10 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/115291]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_信息功能材料国家重点实验室2008-2012_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Li, SG,Gong, Q,Cao, CF,et al. Temperature dependent lasing characteristics of InAs/InP(100) quantum dot laser[J]. MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING,2012,15(1):86-90. |
| APA | Li, SG.,Gong, Q.,Cao, CF.,Wang, XZ.,Chen, P.,...&Ma, CH.(2012).Temperature dependent lasing characteristics of InAs/InP(100) quantum dot laser.MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING,15(1),86-90. |
| MLA | Li, SG,et al."Temperature dependent lasing characteristics of InAs/InP(100) quantum dot laser".MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING 15.1(2012):86-90. |
入库方式： OAI收割
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