Properties of lattice matched quaternary InAlGaAs on InP substrate grown by gas source MBE
文献类型：期刊论文
| 作者 | Wang, K ; Gu, Y ; Fang, X ; Zhou, L ; Li, C ; Li, HSBY ; Zhang, YG（重点实验室） |
| 刊名 | JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES
 |
| 出版日期 | 2012 |
| 卷号 | 31期号:5页码:385-+ |
| 关键词 | Optics |
| ISSN号 | 1001-9014 |
| 学科主题 | Optics |
| 收录类别 | SCI |
| 原文出处 | 10.3724/SP.J.1010.2012.00385 |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2013-05-10 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/115314]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_信息功能材料国家重点实验室2008-2012_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Wang, K,Gu, Y,Fang, X,et al. Properties of lattice matched quaternary InAlGaAs on InP substrate grown by gas source MBE[J]. JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES,2012,31(5):385-+. |
| APA | Wang, K.,Gu, Y.,Fang, X.,Zhou, L.,Li, C.,...&Zhang, YG.(2012).Properties of lattice matched quaternary InAlGaAs on InP substrate grown by gas source MBE.JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES,31(5),385-+. |
| MLA | Wang, K,et al."Properties of lattice matched quaternary InAlGaAs on InP substrate grown by gas source MBE".JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES 31.5(2012):385-+. |
入库方式： OAI收割
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