Polarity conversion of hydride vapor phase epitaxy growing GaN via growth interruption modulation
文献类型：期刊论文
| 作者 | Lei, BL ; Yu, GH ; Ye, HH ; Meng, S ; Wang, XZ ; Lin, C ; Qi, M ; Li, A ; Nouet, G ; Ruterana, P ; Chen, J |
| 刊名 | THIN SOLID FILMS
 |
| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 516期号:12页码:3772-3775 |
| 关键词 | Materials Science Materials Science Physics Physics Multidisciplinary Coatings & Films Applied Condensed Matter |
| ISSN号 | 0040-6090 |
| 学科主题 | Materials Science; Physics |
| 收录类别 | SCI |
| 原文出处 | 10.1016/j.tsf.2007.06.101 |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2013-05-10 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/115337]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_信息功能材料国家重点实验室2008-2012_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Lei, BL,Yu, GH,Ye, HH,et al. Polarity conversion of hydride vapor phase epitaxy growing GaN via growth interruption modulation[J]. THIN SOLID FILMS,2008,516(12):3772-3775. |
| APA | Lei, BL.,Yu, GH.,Ye, HH.,Meng, S.,Wang, XZ.,...&Chen, J.(2008).Polarity conversion of hydride vapor phase epitaxy growing GaN via growth interruption modulation.THIN SOLID FILMS,516(12),3772-3775. |
| MLA | Lei, BL,et al."Polarity conversion of hydride vapor phase epitaxy growing GaN via growth interruption modulation".THIN SOLID FILMS 516.12(2008):3772-3775. |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。