Microstructure analysis in strained-InGaN/GaN multiple quantum wells
文献类型：期刊论文
| 作者 | Lei, HP ; Chen, J ; Jiang, XY ; Nouet, G |
| 刊名 | MICROELECTRONICS JOURNAL
 |
| 出版日期 | 2009 |
| 卷号 | 40期号:2页码:342-345 |
| 关键词 | Engineering Electrical & Electronic Nanoscience & Nanotechnology |
| ISSN号 | 0026-2692 |
| 学科主题 | Engineering; Science & Technology - Other Topics |
| 收录类别 | SCI |
| 原文出处 | 10.1016/j.mejo.2008.07.068 |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2013-05-10 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/115367]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_信息功能材料国家重点实验室2008-2012_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Lei, HP,Chen, J,Jiang, XY,et al. Microstructure analysis in strained-InGaN/GaN multiple quantum wells[J]. MICROELECTRONICS JOURNAL,2009,40(2):342-345. |
| APA | Lei, HP,Chen, J,Jiang, XY,&Nouet, G.(2009).Microstructure analysis in strained-InGaN/GaN multiple quantum wells.MICROELECTRONICS JOURNAL,40(2),342-345. |
| MLA | Lei, HP,et al."Microstructure analysis in strained-InGaN/GaN multiple quantum wells".MICROELECTRONICS JOURNAL 40.2(2009):342-345. |
入库方式： OAI收割
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