InP-based InGaAs/InAlGaAs digital alloy quantum well laser structure at 2 mu m
文献类型：期刊论文
| 作者 | Gu, Y ; Wang, K ; Li, YY ; Li, C ; Zhang, YG（重点实验室） |
| 刊名 | CHINESE PHYSICS B
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| 出版日期 | 2010 |
| 卷号 | 19期号:7页码:77304 |
| 关键词 | Physics Multidisciplinary |
| ISSN号 | 1674-1056 |
| 学科主题 | Physics |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2013-05-10 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/115418]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_信息功能材料国家重点实验室2008-2012_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Gu, Y,Wang, K,Li, YY,et al. InP-based InGaAs/InAlGaAs digital alloy quantum well laser structure at 2 mu m[J]. CHINESE PHYSICS B,2010,19(7):77304. |
| APA | Gu, Y,Wang, K,Li, YY,Li, C,&Zhang, YG.(2010).InP-based InGaAs/InAlGaAs digital alloy quantum well laser structure at 2 mu m.CHINESE PHYSICS B,19(7),77304. |
| MLA | Gu, Y,et al."InP-based InGaAs/InAlGaAs digital alloy quantum well laser structure at 2 mu m".CHINESE PHYSICS B 19.7(2010):77304. |
入库方式： OAI收割
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