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InP-based InGaAs/InAlGaAs digital alloy quantum well laser structure at 2 mu m

文献类型:期刊论文

作者Gu, Y ; Wang, K ; Li, YY ; Li, C ; Zhang, YG(重点实验室)
刊名CHINESE PHYSICS B
出版日期2010
卷号19期号:7页码:77304
关键词Physics Multidisciplinary
ISSN号1674-1056
学科主题Physics
收录类别SCI
语种英语
公开日期2013-05-10
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/115418]  
专题上海微系统与信息技术研究所_信息功能材料国家重点实验室2008-2012_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
Gu, Y,Wang, K,Li, YY,et al. InP-based InGaAs/InAlGaAs digital alloy quantum well laser structure at 2 mu m[J]. CHINESE PHYSICS B,2010,19(7):77304.
APA Gu, Y,Wang, K,Li, YY,Li, C,&Zhang, YG.(2010).InP-based InGaAs/InAlGaAs digital alloy quantum well laser structure at 2 mu m.CHINESE PHYSICS B,19(7),77304.
MLA Gu, Y,et al."InP-based InGaAs/InAlGaAs digital alloy quantum well laser structure at 2 mu m".CHINESE PHYSICS B 19.7(2010):77304.

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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