InP-based InGaAs/InAlGaAs digital alloy quantum well laser structure at 2 mu m
文献类型:期刊论文
作者 | Gu, Y ; Wang, K ; Li, YY ; Li, C ; Zhang, YG(重点实验室) |
刊名 | CHINESE PHYSICS B
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出版日期 | 2010 |
卷号 | 19期号:7页码:77304 |
关键词 | Physics Multidisciplinary |
ISSN号 | 1674-1056 |
学科主题 | Physics |
收录类别 | SCI |
语种 | 英语 |
公开日期 | 2013-05-10 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/115418] ![]() |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_信息功能材料国家重点实验室2008-2012_期刊论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Gu, Y,Wang, K,Li, YY,et al. InP-based InGaAs/InAlGaAs digital alloy quantum well laser structure at 2 mu m[J]. CHINESE PHYSICS B,2010,19(7):77304. |
APA | Gu, Y,Wang, K,Li, YY,Li, C,&Zhang, YG.(2010).InP-based InGaAs/InAlGaAs digital alloy quantum well laser structure at 2 mu m.CHINESE PHYSICS B,19(7),77304. |
MLA | Gu, Y,et al."InP-based InGaAs/InAlGaAs digital alloy quantum well laser structure at 2 mu m".CHINESE PHYSICS B 19.7(2010):77304. |
入库方式: OAI收割
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