Insulator-quantum Hall conductor transition in high electron density gated InGaAs/InAlAs quantum wells
文献类型：期刊论文
| 作者 | Gao, KH ; Yu, G ; Zhou, YM ; Wei, LM ; Lin, T ; Shang, LY ; Sun, L ; Yang, R ; Zhou, WZ ; Dai, N ; Chu, JH ; Austing, DG ; Gu, Y ; Zhang, YG（重点实验室） |
| 刊名 | JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
 |
| 出版日期 | 2010 |
| 卷号 | 108期号:6页码:63701 |
| 关键词 | Physics Applied |
| ISSN号 | 0021-8979 |
| 学科主题 | Physics |
| 收录类别 | SCI |
| 原文出处 | 10.1063/1.3486081 |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2013-05-10 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/115425]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_信息功能材料国家重点实验室2008-2012_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Gao, KH,Yu, G,Zhou, YM,et al. Insulator-quantum Hall conductor transition in high electron density gated InGaAs/InAlAs quantum wells[J]. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,2010,108(6):63701. |
| APA | Gao, KH.,Yu, G.,Zhou, YM.,Wei, LM.,Lin, T.,...&Zhang, YG.(2010).Insulator-quantum Hall conductor transition in high electron density gated InGaAs/InAlAs quantum wells.JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,108(6),63701. |
| MLA | Gao, KH,et al."Insulator-quantum Hall conductor transition in high electron density gated InGaAs/InAlAs quantum wells".JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 108.6(2010):63701. |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。