Design of Side Bottom-Electrode-Contact for High Density Phase-Change Memory Array
文献类型：期刊论文
| 作者 | Liu, Y ; song, zt(重点实验室） ; Liu, B(重点实验室） ; Xu, J ; Chen, HP ; Zhang, C ; Wu, GP ; Feng, SL(重点实验室） |
| 刊名 | JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY
 |
| 出版日期 | 2012 |
| 卷号 | 12期号:10页码:7939-7943 |
| 关键词 | Chemistry Materials Science Physics Physics Multidisciplinary Nanoscience & Nanotechnology Multidisciplinary Applied Condensed Matter |
| ISSN号 | 1533-4880 |
| 学科主题 | Chemistry; Science & Technology - Other Topics; Materials Science; Physics |
| 收录类别 | SCI |
| 原文出处 | 10.1166/jnn.2012.6641 |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2013-05-10 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/115429]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_信息功能材料国家重点实验室2008-2012_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Liu, Y,song, zt,Liu, B,et al. Design of Side Bottom-Electrode-Contact for High Density Phase-Change Memory Array[J]. JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY,2012,12(10):7939-7943. |
| APA | Liu, Y.,song, zt.,Liu, B.,Xu, J.,Chen, HP.,...&Feng, SL.(2012).Design of Side Bottom-Electrode-Contact for High Density Phase-Change Memory Array.JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY,12(10),7939-7943. |
| MLA | Liu, Y,et al."Design of Side Bottom-Electrode-Contact for High Density Phase-Change Memory Array".JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY 12.10(2012):7939-7943. |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。