Study of the Ge Wafer Surface Hydrophilicity after Low-Temperature Plasma Activation
文献类型：期刊论文
| 作者 | Ma, XB ; Chen, C ; Liu, WL ; Liu, XY ; Du, XF ; song, zt(重点实验室） ; Lin, CL |
| 刊名 | JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY
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| 出版日期 | 2009 |
| 卷号 | 156期号:5页码:H307-H310 |
| 关键词 | Electrochemistry Materials Science Coatings & Films |
| ISSN号 | 0013-4651 |
| 学科主题 | Electrochemistry; Materials Science |
| 收录类别 | SCI |
| 原文出处 | 10.1149/1.3089363 |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2013-05-10 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/115442]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_信息功能材料国家重点实验室2008-2012_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Ma, XB,Chen, C,Liu, WL,et al. Study of the Ge Wafer Surface Hydrophilicity after Low-Temperature Plasma Activation[J]. JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY,2009,156(5):H307-H310. |
| APA | Ma, XB.,Chen, C.,Liu, WL.,Liu, XY.,Du, XF.,...&Lin, CL.(2009).Study of the Ge Wafer Surface Hydrophilicity after Low-Temperature Plasma Activation.JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY,156(5),H307-H310. |
| MLA | Ma, XB,et al."Study of the Ge Wafer Surface Hydrophilicity after Low-Temperature Plasma Activation".JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY 156.5(2009):H307-H310. |
入库方式： OAI收割
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