Fabrication of high Ge content SiGe-on-insulator with low dislocation density by modified Ge condensation
文献类型：期刊论文
| 作者 | Ma, XB ; Liu, WL ; Chen, C ; Du, XF ; Liu, XY ; song, zt(重点实验室） ; Lin, CL |
| 刊名 | APPLIED SURFACE SCIENCE
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| 出版日期 | 2009 |
| 卷号 | 255期号:17页码:7743-7748 |
| 关键词 | Chemistry Materials Science Physics Physics Physical Coatings & Films Applied Condensed Matter |
| ISSN号 | 0169-4332 |
| 学科主题 | Chemistry; Materials Science; Physics |
| 收录类别 | SCI |
| 原文出处 | 10.1016/j.apsusc.2009.04.162 |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2013-05-10 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/115451]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_信息功能材料国家重点实验室2008-2012_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Ma, XB,Liu, WL,Chen, C,et al. Fabrication of high Ge content SiGe-on-insulator with low dislocation density by modified Ge condensation[J]. APPLIED SURFACE SCIENCE,2009,255(17):7743-7748. |
| APA | Ma, XB.,Liu, WL.,Chen, C.,Du, XF.,Liu, XY.,...&Lin, CL.(2009).Fabrication of high Ge content SiGe-on-insulator with low dislocation density by modified Ge condensation.APPLIED SURFACE SCIENCE,255(17),7743-7748. |
| MLA | Ma, XB,et al."Fabrication of high Ge content SiGe-on-insulator with low dislocation density by modified Ge condensation".APPLIED SURFACE SCIENCE 255.17(2009):7743-7748. |
入库方式： OAI收割
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