Strain relaxation in nano-patterned strained-Si/SiGe heterostructure on insulator
文献类型：期刊论文
| 作者 | Liu, XY ; Liu, WL ; Ma, XB ; Lv, SL ; song, zt(重点实验室） ; Lin, CL |
| 刊名 | APPLIED SURFACE SCIENCE
 |
| 出版日期 | 2010 |
| 卷号 | 256期号:11页码:3499-3502 |
| 关键词 | Chemistry Materials Science Physics Physics Physical Coatings & Films Applied Condensed Matter |
| ISSN号 | 0169-4332 |
| 学科主题 | Chemistry; Materials Science; Physics |
| 收录类别 | SCI |
| 原文出处 | 10.1016/j.apsusc.2009.12.063 |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2013-05-10 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/115471]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_信息功能材料国家重点实验室2008-2012_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Liu, XY,Liu, WL,Ma, XB,et al. Strain relaxation in nano-patterned strained-Si/SiGe heterostructure on insulator[J]. APPLIED SURFACE SCIENCE,2010,256(11):3499-3502. |
| APA | Liu, XY,Liu, WL,Ma, XB,Lv, SL,song, zt,&Lin, CL.(2010).Strain relaxation in nano-patterned strained-Si/SiGe heterostructure on insulator.APPLIED SURFACE SCIENCE,256(11),3499-3502. |
| MLA | Liu, XY,et al."Strain relaxation in nano-patterned strained-Si/SiGe heterostructure on insulator".APPLIED SURFACE SCIENCE 256.11(2010):3499-3502. |
入库方式： OAI收割
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