Germanium surface hydrophilicity and low-temperature Ge layer transfer by Ge-SiO(2) bonding
文献类型：期刊论文
| 作者 | Ma, XB ; Liu, WL ; Du, XF ; Liu, XY ; song, zt(重点实验室） ; Lin, CL ; Chu, PK |
| 刊名 | JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B
 |
| 出版日期 | 2010 |
| 卷号 | 28期号:4页码:769-774 |
| 关键词 | Engineering Physics Electrical & Electronic Nanoscience & Nanotechnology Applied |
| ISSN号 | 1071-1023 |
| 学科主题 | Engineering; Science & Technology - Other Topics; Physics |
| 收录类别 | SCI |
| 原文出处 | 10.1116/1.3455499 |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2013-05-10 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/115477]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_信息功能材料国家重点实验室2008-2012_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Ma, XB,Liu, WL,Du, XF,et al. Germanium surface hydrophilicity and low-temperature Ge layer transfer by Ge-SiO(2) bonding[J]. JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B,2010,28(4):769-774. |
| APA | Ma, XB.,Liu, WL.,Du, XF.,Liu, XY.,song, zt.,...&Chu, PK.(2010).Germanium surface hydrophilicity and low-temperature Ge layer transfer by Ge-SiO(2) bonding.JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B,28(4),769-774. |
| MLA | Ma, XB,et al."Germanium surface hydrophilicity and low-temperature Ge layer transfer by Ge-SiO(2) bonding".JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B 28.4(2010):769-774. |
入库方式： OAI收割
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