Si3.5Sb2Te3 Phase Change Material for Low-Power Phase Change Memory Application
文献类型：期刊论文
| 作者 | Ren, K ; Rao, F ; song, zt(重点实验室） ; Wu, LC ; Zhou, XL ; Xia, MJ ; Liu, B(重点实验室） ; Feng, SL(重点实验室） ; Xi, W ; Yao, DN ; Chen, BM |
| 刊名 | CHINESE PHYSICS LETTERS
 |
| 出版日期 | 2010 |
| 卷号 | 27期号:10页码:108101 |
| 关键词 | Physics Multidisciplinary |
| ISSN号 | 0256-307X |
| 学科主题 | Physics |
| 收录类别 | SCI |
| 原文出处 | 10.1088/0256-307X/27/10/108101 |
| 公开日期 | 2013-05-10 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/115498]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_信息功能材料国家重点实验室2008-2012_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Ren, K,Rao, F,song, zt,et al. Si3.5Sb2Te3 Phase Change Material for Low-Power Phase Change Memory Application[J]. CHINESE PHYSICS LETTERS,2010,27(10):108101. |
| APA | Ren, K.,Rao, F.,song, zt.,Wu, LC.,Zhou, XL.,...&Chen, BM.(2010).Si3.5Sb2Te3 Phase Change Material for Low-Power Phase Change Memory Application.CHINESE PHYSICS LETTERS,27(10),108101. |
| MLA | Ren, K,et al."Si3.5Sb2Te3 Phase Change Material for Low-Power Phase Change Memory Application".CHINESE PHYSICS LETTERS 27.10(2010):108101. |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。