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Ga14Sb86 film for ultralong data retention phase-change memory

文献类型:期刊论文

作者Lu, YG ; Song, SNA ; song, zt(重点实验室) ; Liu, B(重点实验室)
刊名JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
出版日期2011
卷号109期号:6页码:64503
关键词Physics Applied
ISSN号0021-8979
学科主题Physics
收录类别SCI
原文出处10.1063/1.3563067
语种英语
公开日期2013-05-10
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/115505]  
专题上海微系统与信息技术研究所_信息功能材料国家重点实验室2008-2012_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
Lu, YG,Song, SNA,song, zt,et al. Ga14Sb86 film for ultralong data retention phase-change memory[J]. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,2011,109(6):64503.
APA Lu, YG,Song, SNA,song, zt,&Liu, B.(2011).Ga14Sb86 film for ultralong data retention phase-change memory.JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,109(6),64503.
MLA Lu, YG,et al."Ga14Sb86 film for ultralong data retention phase-change memory".JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 109.6(2011):64503.

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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