Phase transition behaviors of Ga30Sb70/Sb80Te20 nanocomposite multilayer films for application in phase change random access memory
文献类型：期刊论文
| 作者 | Wang, CZ ; Zhai, JW ; Song, SNA ; song, zt(重点实验室） ; Yao, X |
| 刊名 | CURRENT APPLIED PHYSICS
 |
| 出版日期 | 2011 |
| 卷号 | 11期号:3页码:S345-S348 |
| 关键词 | Materials Science Physics Multidisciplinary Applied |
| ISSN号 | 1567-1739 |
| 学科主题 | Materials Science; Physics |
| 收录类别 | SCI |
| 原文出处 | 10.1016/j.cap.2011.03.005 |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2013-05-10 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/115507]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_信息功能材料国家重点实验室2008-2012_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Wang, CZ,Zhai, JW,Song, SNA,et al. Phase transition behaviors of Ga30Sb70/Sb80Te20 nanocomposite multilayer films for application in phase change random access memory[J]. CURRENT APPLIED PHYSICS,2011,11(3):S345-S348. |
| APA | Wang, CZ,Zhai, JW,Song, SNA,song, zt,&Yao, X.(2011).Phase transition behaviors of Ga30Sb70/Sb80Te20 nanocomposite multilayer films for application in phase change random access memory.CURRENT APPLIED PHYSICS,11(3),S345-S348. |
| MLA | Wang, CZ,et al."Phase transition behaviors of Ga30Sb70/Sb80Te20 nanocomposite multilayer films for application in phase change random access memory".CURRENT APPLIED PHYSICS 11.3(2011):S345-S348. |
入库方式： OAI收割
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