Design and Fabrication of Dual-Trench Epitaxial Diode Array for High-Density Phase-Change Memory
文献类型：期刊论文
| 作者 | Zhang, C ; song, zt(重点实验室） ; Wu, GP ; Liu, B(重点实验室） ; Wan, XD ; Wang, L ; Wang, LH ; Yang, ZY ; Chen, B ; Feng, SL(重点实验室） |
| 刊名 | IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
 |
| 出版日期 | 2011 |
| 卷号 | 32期号:8页码:1014-1016 |
| 关键词 | Engineering Electrical & Electronic |
| ISSN号 | 0741-3106 |
| 学科主题 | Engineering |
| 收录类别 | SCI |
| 原文出处 | 10.1109/LED.2011.2155028 |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2013-05-10 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/115520]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_信息功能材料国家重点实验室2008-2012_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhang, C,song, zt,Wu, GP,et al. Design and Fabrication of Dual-Trench Epitaxial Diode Array for High-Density Phase-Change Memory[J]. IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS,2011,32(8):1014-1016. |
| APA | Zhang, C.,song, zt.,Wu, GP.,Liu, B.,Wan, XD.,...&Feng, SL.(2011).Design and Fabrication of Dual-Trench Epitaxial Diode Array for High-Density Phase-Change Memory.IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS,32(8),1014-1016. |
| MLA | Zhang, C,et al."Design and Fabrication of Dual-Trench Epitaxial Diode Array for High-Density Phase-Change Memory".IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS 32.8(2011):1014-1016. |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。