Investigation of changes in band gap and density of localized states on phase transition for Ge2Sb2Te5 and Si3.5Sb2Te3 materials
文献类型：期刊论文
| 作者 | Rao, F ; song, zt(重点实验室） ; Cheng, Y ; Xia, MJ ; Ren, K ; Wu, LC ; Liu, B(重点实验室） ; Feng, SL(重点实验室） |
| 刊名 | ACTA MATERIALIA
 |
| 出版日期 | 2012 |
| 卷号 | 60期号:1页码:323-328 |
| 关键词 | Materials Science Multidisciplinary Metallurgy & Metallurgical Engineering |
| ISSN号 | 1359-6454 |
| 学科主题 | Materials Science; Metallurgy & Metallurgical Engineering |
| 收录类别 | SCI |
| 原文出处 | 10.1016/j.actamat.2011.09.015 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2013-05-10 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/115537]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_信息功能材料国家重点实验室2008-2012_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Rao, F,song, zt,Cheng, Y,et al. Investigation of changes in band gap and density of localized states on phase transition for Ge2Sb2Te5 and Si3.5Sb2Te3 materials[J]. ACTA MATERIALIA,2012,60(1):323-328. |
| APA | Rao, F.,song, zt.,Cheng, Y.,Xia, MJ.,Ren, K.,...&Feng, SL.(2012).Investigation of changes in band gap and density of localized states on phase transition for Ge2Sb2Te5 and Si3.5Sb2Te3 materials.ACTA MATERIALIA,60(1),323-328. |
| MLA | Rao, F,et al."Investigation of changes in band gap and density of localized states on phase transition for Ge2Sb2Te5 and Si3.5Sb2Te3 materials".ACTA MATERIALIA 60.1(2012):323-328. |
入库方式： OAI收割
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