High Speed Phase Change Memory Based on SnTe-Doped Ge2Sb2Te5 Material
文献类型：期刊论文
| 作者 | Xu, JA ; Rao, F ; song, zt(重点实验室） ; Xia, MJ ; Peng, C ; Gu, YF ; Zhu, M ; Wu, LC ; Liu, B(重点实验室） ; Feng, SL(重点实验室） |
| 刊名 | ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS
 |
| 出版日期 | 2012 |
| 卷号 | 15期号:3页码:H59-H61 |
| 关键词 | Electrochemistry Materials Science Multidisciplinary |
| ISSN号 | 1099-0062 |
| 学科主题 | Electrochemistry; Materials Science |
| 收录类别 | SCI |
| 原文出处 | 10.1149/2.006203esl |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2013-05-10 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/115538]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_信息功能材料国家重点实验室2008-2012_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Xu, JA,Rao, F,song, zt,et al. High Speed Phase Change Memory Based on SnTe-Doped Ge2Sb2Te5 Material[J]. ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS,2012,15(3):H59-H61. |
| APA | Xu, JA.,Rao, F.,song, zt.,Xia, MJ.,Peng, C.,...&Feng, SL.(2012).High Speed Phase Change Memory Based on SnTe-Doped Ge2Sb2Te5 Material.ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS,15(3),H59-H61. |
| MLA | Xu, JA,et al."High Speed Phase Change Memory Based on SnTe-Doped Ge2Sb2Te5 Material".ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS 15.3(2012):H59-H61. |
入库方式： OAI收割
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