N-Doped Si0.6Sb2Te3 Material for Applications of Phase-Change Memory
文献类型：期刊论文
| 作者 | Peng, C ; Yang, PX ; Wu, LC ; song, zt(重点实验室） ; Rao, F ; Xu, JA ; Zhou, XL ; Zhu, M ; Liu, B(重点实验室） ; Chu, JH |
| 刊名 | ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS
 |
| 出版日期 | 2012 |
| 卷号 | 15期号:4页码:H101-H104 |
| ISSN号 | 1099-0062 |
| 关键词 | Electrochemistry Materials Science Multidisciplinary |
| 学科主题 | Electrochemistry; Materials Science |
| 收录类别 | SCI |
| 原文出处 | 10.1149/2.022204esl |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2013-05-10 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/115540]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_信息功能材料国家重点实验室2008-2012_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Peng, C,Yang, PX,Wu, LC,et al. N-Doped Si0.6Sb2Te3 Material for Applications of Phase-Change Memory[J]. ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS,2012,15(4):H101-H104. |
| APA | Peng, C.,Yang, PX.,Wu, LC.,song, zt.,Rao, F.,...&Chu, JH.(2012).N-Doped Si0.6Sb2Te3 Material for Applications of Phase-Change Memory.ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS,15(4),H101-H104. |
| MLA | Peng, C,et al."N-Doped Si0.6Sb2Te3 Material for Applications of Phase-Change Memory".ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS 15.4(2012):H101-H104. |
入库方式： OAI收割
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