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Multi-State Data Storage of Ge2Sb2Te5/Ga30Sb70 Multilayer Films for Phase Change Memory

文献类型:期刊论文

作者Sun, MC ; Shen, B ; Wang, CZ ; Song, SN ; song, zt(重点实验室) ; Zhai, JW
刊名ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS
出版日期2012
卷号15期号:4页码:H115-H117
关键词Electrochemistry Materials Science Multidisciplinary
ISSN号1099-0062
学科主题Electrochemistry; Materials Science
收录类别SCI
原文出处10.1149/2.028204esl
语种英语
公开日期2013-05-10
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/115541]  
专题上海微系统与信息技术研究所_信息功能材料国家重点实验室2008-2012_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
Sun, MC,Shen, B,Wang, CZ,et al. Multi-State Data Storage of Ge2Sb2Te5/Ga30Sb70 Multilayer Films for Phase Change Memory[J]. ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS,2012,15(4):H115-H117.
APA Sun, MC,Shen, B,Wang, CZ,Song, SN,song, zt,&Zhai, JW.(2012).Multi-State Data Storage of Ge2Sb2Te5/Ga30Sb70 Multilayer Films for Phase Change Memory.ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS,15(4),H115-H117.
MLA Sun, MC,et al."Multi-State Data Storage of Ge2Sb2Te5/Ga30Sb70 Multilayer Films for Phase Change Memory".ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS 15.4(2012):H115-H117.

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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